模组性能
Atlas 200I A2 加速模块的元器件的分布及功耗信息如图1、图2与表1所示。
序号 |
描述 |
数量 |
单芯片最大功耗 (W) |
芯片总功耗(W) |
封装规格 |
|||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
- |
- |
- |
- |
- |
Rjc (℃/W) |
Rjb (℃/W) |
Tj (℃) |
Tcase (℃) |
1 |
310系列AI处理器 |
1 |
15.3 |
15.3 |
0.25 |
2.8 |
-20~105 |
- |
2 |
LPDDR4X Memory |
2 |
0.73 |
1.46 |
4.1 |
- |
- |
-25~95 |
3 |
Flash |
1 |
0.1 |
0.1 |
14.6 |
7.1 |
- |
-40~85 |
4 |
Buck |
1 |
0.586 |
0.586 |
34.3 |
20.7 |
-40~125 |
- |
5 |
Buck |
1 |
0.2 |
0.2 |
8 |
- |
-40~125 |
- |
6 |
Buck |
1 |
0.67 |
0.67 |
34.3 |
20.7 |
-40~125 |
- |
7 |
PSIP |
1 |
0.1 |
0.1 |
- |
- |
-40~125 |
- |
8 |
PSIP |
1 |
0.32 |
0.32 |
- |
- |
-40~125 |
- |
9 |
PSIP |
1 |
0.35 |
0.35 |
- |
- |
-40~125 |
- |
10 |
PSIP |
1 |
0.17 |
0.17 |
- |
- |
-40~125 |
- |
11 |
LDO |
1 |
0.48 |
0.48 |
36.9 |
16.3 |
-40~125 |
- |
12 |
LDO |
1 |
0.16 |
0.16 |
36.9 |
16.3 |
-40~125 |
- |
13 |
VRD controller |
2 |
0.25 |
0.5 |
2.8 |
- |
-40~125 |
- |
14 |
DRMos |
1 |
0.287 |
0.287 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
15 |
DRMos |
1 |
0.752 |
0.752 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
16 |
DRMos |
1 |
0.3 |
0.3 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
17 |
Inductor |
1 |
0.123 |
0.123 |
- |
- |
-40~125 |
- |
18 |
Inductor |
1 |
0.322 |
0.322 |
- |
- |
-40~125 |
- |
19 |
Inductor |
1 |
0.128 |
0.128 |
- |
- |
-40~125 |
- |
- |
- |
- |
- |
Atlas 200I A2 加速模块总功耗:22.308 |
- |
- |
- |
- |
序号 |
描述 |
数量 |
单芯片最大功耗 (W) |
芯片总功耗(W) |
封装规格 |
|||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
- |
- |
- |
- |
- |
Rjc (℃/W) |
Rjb (℃/W) |
Tj (℃) |
Tcase (℃) |
1 |
310系列AI处理器 |
1 |
21 |
21 |
0.25 |
2.8 |
-20~105 |
- |
2 |
LPDDR4X Memory |
3 |
0.73 |
2.19 |
4.1 |
- |
- |
-25~95 |
3 |
Flash |
1 |
0.1 |
0.1 |
14.6 |
7.1 |
- |
-40~85 |
4 |
Buck |
1 |
0.586 |
0.586 |
34.3 |
20.7 |
-40~125 |
- |
5 |
Buck |
1 |
0.2 |
0.2 |
8 |
- |
-40~125 |
- |
6 |
Buck |
1 |
0.67 |
0.67 |
34.3 |
20.7 |
-40~125 |
- |
7 |
PSIP |
1 |
0.1 |
0.1 |
- |
- |
-40~125 |
- |
8 |
PSIP |
1 |
0.32 |
0.32 |
- |
- |
-40~125 |
- |
9 |
PSIP |
1 |
0.35 |
0.35 |
- |
- |
-40~125 |
- |
10 |
PSIP |
1 |
0.17 |
0.17 |
- |
- |
-40~125 |
- |
11 |
LDO |
1 |
0.48 |
0.48 |
36.9 |
16.3 |
-40~125 |
- |
12 |
LDO |
1 |
0.16 |
0.16 |
36.9 |
16.3 |
-40~125 |
- |
13 |
VRD controller |
2 |
0.25 |
0.5 |
2.8 |
- |
-40~125 |
- |
14 |
DRMos |
1 |
0.688 |
0.688 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
15 |
DRMos |
1 |
0.916 |
0.916 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
16 |
DRMos |
1 |
0.405 |
0.405 |
8.7 |
2.2 |
-40~125 |
- |
17 |
Inductor |
1 |
0.29 |
0.29 |
- |
- |
-40~125 |
- |
18 |
Inductor |
1 |
0.395 |
0.395 |
- |
- |
-40~125 |
- |
19 |
Inductor |
1 |
0.173 |
0.173 |
- |
- |
-40~125 |
- |
- |
- |
- |
- |
Atlas 200I A2 加速模块总功耗:29.693 |
- |
- |
- |
- |
模组性能说明
- 表中未写明Rjc和Rjb的器件,建模时需要设置成具有导热系数的块;
- PCB板材设置导热系数:Kx=45W/mK、Ky=45W/mK、Kz=1W/mK;
- 昇腾310系列芯片设置成双热阻模型,已经将其视为均匀热流,实际负载为非均匀热流,用户进行热方案设计时需要留有足够余量。
- 在系统运行最高环温和最大负载时,表格3-1中的这些器件温度均需要测量,如果当中的任何器件超温了,则需要采用如下措施:
- 降低支持的最大环境温度;
- 降低负载使用;
- 针对超温器件增加散热措施。
计算热阻
- 为了确定散热方案是否满足热阻需求,首先根据以下公式计算Tc:
Tjmax=Power x Rjc+Tc
- 查看Ta的值。
Ta=Atlas 200 AI加速模块正常工作时所要支持的最高环境温度。
- 根据以下公式,计算Atlas 200 AI加速模块正常工作所需要的散热方案热阻。
Rca=(Tc-Ta)/Power