SDIO接口
Atlas 200I A2 加速模块上集成了1个SDIO接口，支持对接SDXC卡，向下兼容SDHC卡，支持3.3V/1.8V电平。
管脚序号 |
加速模块信号名 |
信号方向 |
信号类型 |
信号电平 |
用途/描述 |
|---|---|---|---|---|---|
S57 |
SDIO_CLK |
Output |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD时钟。 |
S58 |
SDIO_CMD |
Bidirection |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD命令。 |
S59 |
SDIO_DATA0 |
Bidirection |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD数据通道0。 |
S60 |
SDIO_DATA1 |
Bidirection |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD数据通道1。 |
S61 |
SDIO_DATA2 |
Bidirection |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD数据通道2。 |
S62 |
SDIO_DATA3 |
Bidirection |
LVCMOS |
1.8V/3.3V |
SD数据通道3。 |
S63 |
SDIO_POWER_EN |
Output |
LVCMOS |
3.3V |
SDIO电源使能控制信号，高电平有效。 |
S64 |
/SDIO_DETECT |
Input |
LVCMOS |
3.3V |
SD卡插入检测信号，低电平有效。 |
S65 |
SDIO_VOUT |
Output |
POWER |
1.8V/3.3V |
SDIO上拉电源输出（ 3.3V/1.8V），用于SDIO_CMD/SDIO_DATA[3:0]信号上拉。 |
- 根据环境温度以及可靠性要求，建议使用工业级Micro SD卡。
- Micro SD卡是基于Flash存储介质。当前业界使用较多的是NAND Flash，NAND Flash通过使用Floating Gate存储电子实现数据存储，电子在反复穿过Floating Gate后，会导致Floating Gate存储电子的能力变弱，最终导致击穿而无法存储数据。该特性是NAND Flash的通病，因此在使用NAND Flash时，要充分评估应用业务的写入数据量，避免提前写穿导致器件失效。
信号设计要求
Atlas 200I A2 加速模块SDIO接口设计建议参考：《底板电路参考设计》，SDIO_CLK信号需要靠近SD卡侧，增加240Ω上拉至SDIO_OUT，增加100Ω下拉电阻至GND。
关键规格 |
规格要求 |
|---|---|
结电容 |
<3pF( I/O pin to GND) |
Breakdown Voltage |
Breakdown Voltage >6V |
Clamping Voltage |
Clamping Voltage <12V |
SDIO工作模式
Bus Speed Mode |
Max Clock Frequency[MHz] |
Max Bus Speed[MB/s] |
Signal Voltage |
备注 |
|---|---|---|---|---|
Default Speed |
25 |
12.5 |
3.3V |
参见说明。 |
High Speed |
50 |
25 |
3.3V |
|
SDR12 |
25 |
12.5 |
1.8V |
|
SDR25 |
50 |
25 |
1.8V |
|
SDR50 |
100 |
50 |
1.8V |
|
SDR104 |
208 |
104 |
1.8V |
SD卡电压为IO电压和控制器无关，时钟速率和具体的时钟实现方案相关此处仅为协议规范的最大值。